Piezas de excavadora Hitachi EX200-2/3/5 sensor de interruptor de presión 4436271

Mecanismo de traballo

1) Efecto magnetoeléctrico

Segundo a lei de indución electromagnética de Faraday, a magnitude da forza electromotriz inducida xerada na bobina depende da velocidade de cambio do fluxo magnético que atravesa a bobina cando a bobina de espira N se move no campo magnético e corta a liña de forza magnética ( ou o cambio de fluxo magnético do campo magnético onde se atopa a bobina).

Sensor magnetoeléctrico de movemento lineal

O sensor magnetoeléctrico de movemento lineal consta dun imán permanente, unha bobina e unha carcasa do sensor.

Cando a cuncha vibra co corpo vibrante que se vai medir e a frecuencia de vibración é moito maior que a frecuencia natural do sensor, porque o resorte é suave e a masa da parte móbil é relativamente grande, é demasiado tarde para a parte móbil. vibrar (permanecer parado) co corpo que vibra.Neste momento, a velocidade de movemento relativo entre o imán e a bobina está próxima á velocidade de vibración do vibrador.

Tipo rotativo

Ferro brando, bobina e imán permanente están fixos.O dispositivo de medición feito de material condutor magnético está instalado no corpo xiratorio medido.Cada vez que se xira un dente, a resistencia magnética do circuíto magnético formado entre a engrenaxe de medición e o ferro brando cambia unha vez, e o fluxo magnético tamén cambia unha vez.A frecuencia (número de pulsos) da forza electromotriz inducida na bobina é igual ao produto do número de dentes da engrenaxe de medición e da velocidade de rotación.

Efecto Hall

Cando un semicondutor ou unha folla metálica se coloca nun campo magnético, cando circula unha corrente (na dirección plana da folla perpendicular ao campo magnético), xérase unha forza electromotriz na dirección perpendicular ao campo magnético e á corrente.Este fenómeno chámase efecto Hall.

Elemento de salón

Os materiais Hall comúnmente utilizados son o xermanio (Ge), o silicio (Si), o antimoniuro de indio (InSb), o arseniuro de indio (InAs), etc.O xermanio tipo N é doado de fabricar e ten un bo coeficiente de Hall, rendemento de temperatura e linealidade.O silicio de tipo P ten a mellor linealidade, e o seu coeficiente Hall e o seu rendemento de temperatura son os mesmos que os do xermanio tipo N, pero a súa mobilidade electrónica é baixa e a súa capacidade de carga é pobre, polo que normalmente non se usa como un único Hall. elemento.